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摘 要:本发明具体涉及一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法。氮化硅基陶瓷材料具有良好的机械性能及稳定性,制备高性能的Si3N4/SiC陶瓷材料有望在工业领域获得广泛的应用。本发明提供了一种基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料制备方法,以α‑Si3N4为基体,TiC为增强相,Al2O3和Y2O3为烧结助剂,经湿法球磨混料、干燥后进行放电等离子烧结,烧结温度1650‑1750℃,保温时间20‑35min。本发明制备的Si3N4/TiC陶瓷材料具有良好的烧结致密性,陶瓷材料的抗弯强度、断裂韧性和硬度不低于700MPa,6.1MPa·m1/2,13GPa。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011180494.8 | 专利名称: | 一种基于放电等离子烧结的氮化硅-碳化钛陶瓷材料制备方法 |
申请日: | 2020-10-29 | 申请/专利权人 | 齐鲁工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市长清区大学路3501号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/565搜分类 陶瓷搜索 |
公开/公告日: | 2023-09-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112266251B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |