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摘 要:本发明公开的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法,具体为:步骤1,配制锡掺杂氧化铟感光溶胶;步骤2,提拉制备凝胶薄膜;步骤3,烘烤;步骤4,将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行双光束曝光;步骤5,将曝光后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片继续烘烤,步骤6,将烘烤后的基片置于溶洗剂中溶洗,溶洗10~20min,将未曝光部分溶洗去除,得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片;步骤7,将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500~520℃下退火处理。该方法能够解决当前这种薄膜纳米阵列化加工工艺复杂、成本高、刻蚀缓慢以及精度差的问题。还公开有上述方法制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111009384.X | 专利名称: | 一种锡掺杂氧化铟纳米阵列及其制备方法 |
申请日: | 2021-08-31 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C03C17/23搜分类 微电子 薄膜 半导体材料 导电材料 半导体微电子 太阳能光伏电池 透明晶体管 集成功能器件搜索 |
公开/公告日: | 2023-01-03 | 转让价格: | 14900.0元 |
公开/公告号: | CN113831025B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |