发明专利已授权

掺杂型三氧化钼@氧化钨@PANI异质复合薄膜的制备方法及其应用

📄 申请号：CN202211287408.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2022-10-20

公开号

CN115527779B

公开日

2023-06-06

申请人

哈尔滨商业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01G11_22

IPC 分类号

H01G11_22 , H01G11_86 , H01G11_24 , H01G11_48 , H01G11_46 , H01G11_30 ,

技术画像

所属领域

复合薄膜材料复合薄膜材料金属氧化物半导体材料导电聚合物复合材料

应用场景

电致变色器件, 智能窗, 超级电容器, 气体传感器, 光催化

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摘要

掺杂型三氧化钼@氧化钨@PANI异质复合薄膜的制备方法及其应用，本发明是为了解决现有电致变色薄膜工作波长范围窄，响应速度有待提高的问题。制备方法：一、喷雾冷冻干燥制备多孔MoO3前驱物混合溶液；二、通过喷涂方式将含有WCl6、聚乙二醇和Eu(NO3)3的混合液涂覆在纳米银掺杂的MoO3/导电基底电极上，在紫外线照射下进行分解，热处理后得到掺杂型MoO3@WxOy核壳结构材料；三、电沉积聚苯胺。本发明复合薄膜材料在电致变色领域具有工作波长范围宽、消光比高、响应速度快的特点，电致变色性能良好，制成复合电极还具有良好的电化学性能，在1A/g下，该材料的比容量可达到1984F/g。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230606

✅ 授权

20230113

?? 实质审查的生效：

20221227

📄 公开

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议价

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