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摘 要:本发明揭示了一种电介质薄膜电学性质测量系统,包括探针台、电学测试装置和计算机,电学测试装置中的前置跨阻放大器包括有两个CMOS运算放大器、四个MOS场效应管、四个CMOS反相器、六个电阻、两个电容。电介质薄膜的漏电流大小通常介于数十fA至数十pA,通过合理选择外围电阻,前置跨阻放大器的输出电压可达到数μV至几十μV量级,该输出电压信号再经过中间电压放大器、后端电压放大器依次放大,可被电流测量装置准确测量出来,最终送至计算机进行处理、显示。利用本发明独有的处理方式,有效地从信号源中过滤掉了运算放大器自身带来的干扰信号。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910094588.4 | 专利名称: | 一种电介质薄膜电学性质测量系统 |
申请日: | 2019-01-30 | 申请/专利权人 | 南通大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南通市崇川区啬园路9号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01N27/00搜分类 纳米薄膜 薄膜检测 半导体工艺搜索 |
公开/公告日: | 2021-02-09 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109709151B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |