发明专利已授权

一种电介质薄膜电学性质测量系统

📄 申请号：CN201910094588.4 📄 发布日：2026/07/27

著录项目信息

申请日

2019-01-30

公开号

CN109709151B

公开日

2021-02-09

申请人

南通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01N27_00

IPC 分类号

G01N27_00

技术画像

所属领域

测量系统电学测量技术介电性能测试薄膜材料表征测量系统

应用场景

半导体器件测试, 电容器介质评价, 电子材料研发, 薄膜绝缘性能检测, 薄膜器件质量控制

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摘要

本发明揭示了一种电介质薄膜电学性质测量系统，包括探针台、电学测试装置和计算机，电学测试装置中的前置跨阻放大器包括有两个CMOS运算放大器、四个MOS场效应管、四个CMOS反相器、六个电阻、两个电容。电介质薄膜的漏电流大小通常介于数十fA至数十pA，通过合理选择外围电阻，前置跨阻放大器的输出电压可达到数μV至几十μV量级，该输出电压信号再经过中间电压放大器、后端电压放大器依次放大，可被电流测量装置准确测量出来，最终送至计算机进行处理、显示。利用本发明独有的处理方式，有效地从信号源中过滤掉了运算放大器自身带来的干扰信号。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240702

?? 专利权的转移：

20210209

✅ 授权

20190528

?? 实质审查的生效：

20190503

📄 公开

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