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摘 要:本发明公开了一种硅表面镀层及其制备工艺和用途,该工艺包含:(1)将单晶硅试样放入SnCl2/HCl溶液中敏化;(2)将敏化试样浸泡在PdCl2/HCl/HF溶液中活化;(3)将活化试样浸泡在无电镀镍溶液中镀镍;(4)将镀镍试样在H2/Ar环境中热处理,形成镍硅化合物;(5)将试样粘在铜片上,电镀负极接试样上的铜片,在钴钌溶液中电镀,钴钌合金镀层的厚度至少为0.090μm;(6)将电镀正极接试样上的铜片,将试样放入电镀铜溶液中电镀,待电镀结束后将试样放入H2/Ar环境中在进行退火处理,退火处理根据步骤(5)中钴钌合金镀层的厚度控制,完成镀层制备。本发明镀层能替代太阳能电池中导电胶,降低成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910146987.0 | 专利名称: | 一种硅表面镀层及其制备工艺和用途 |
申请日: | 2019-02-27 | 申请/专利权人 | 西京学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市长安区西京路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C18/18搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2021-01-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109811331B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |