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摘 要:本发明涉及半导体功能材料技术领域,特别涉及一种非闪烁量子点及其制备方法。本发明将壳层生长温度控制在比核体生长温度高5~80℃,使壳层源各组分在高温条件下反应,促进壳层源各离子的相互渗透,消除壳层晶体内部的缺陷,进而得到晶相稳定的富集ZnSe材料,避免富集ZnSe材料被空气中的氧气氧化;同时,本发明还通过壳层源添加方式的设置,避免壳层源的各组分单独成核,进而得到以富集ZnSe材料为壳层的核壳结构量子点。利用上述方案得到的量子点的亮态比为90~100%,属于典型的非闪烁量子点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810482250.1 | 专利名称: | 一种非闪烁量子点及其制备方法 |
申请日: | 2018-05-18 | 申请/专利权人 | 河南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省开封市明伦街85号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C09K11/02搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2018-09-21 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108559483A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/12/13 | 授权 | |
2018/10/23 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C09K 11/02 专利申请号: 201810482250.1 申请日: 2018.05.18 |
2018/09/21 | 公开 |