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摘 要:本发明公开一种调制薄膜激光感生电压的方法,属于功能薄膜材料领域。选取c轴倾斜的单晶压电材料(如SiO2、单晶Si或ZnS等)作为衬底,在单晶压电衬底上生长具有激光感生电压效应的外延薄膜(如在SiO2倾斜衬底上生长ZnO、CuAlO2或CuCr1‑xMgxO2薄膜、在单晶Si倾斜衬底上生长YBa2Cu3O7‑x、ZnO或AlN薄膜,在ZnS倾斜衬底上生长HfO2薄膜),在压电衬底两端施加外电压使衬底产生微量形变,从而使得生长在其上的薄膜Seebeck系数各向异性得到改变,因此可以灵活调制薄膜的激光感生电压。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810237816.4 | 专利名称: | 一种调制薄膜激光感生电压的方法 |
申请日: | 2018-03-22 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01L11/02搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 2021-01-05 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108534945B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |