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摘 要:本发明涉及一种单宁酸循环沉锗的方法,属于锗提取技术领域。本发明将单宁锗渣和单宁酸加入含锗浸出新液中进行单宁沉锗反应,液固分离得到I段沉锗渣和I段沉锗后液;将I段沉锗渣进行还原浆化得到浆化渣I,将浆化渣I和单宁酸加入到I段沉锗后液中进行单宁沉锗反应,液固分离得到II段沉锗渣和II段沉锗后液;部分II段沉锗渣进行还原浆化后返回进行单宁沉锗反应,II段沉锗后液返电解工序;剩余部分II段沉锗渣经梯级氧化焙烧得到高品位锗精矿。本发明基于形核理论,将已沉淀的单宁锗返回用作沉锗晶核,利用两段沉锗实现单宁锗晶核形成及颗粒长大,实现单宁酸高效沉锗,利用循环沉锗技术,单宁酸耗量相对现行单宁沉锗节省40%以上,沉锗率增加1.09%以上。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210222102.2 | 专利名称: | 一种单宁酸循环沉锗的方法 |
申请日: | 2022-03-09 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C22B41/00搜分类 锗 港口搜索 |
公开/公告日: | 2023-09-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN114672673B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |