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摘 要:本发明提供了一种快速除去杂质硒制备高纯二氧化碲粉末的方法,属于冶金技术领域。本发明将真空密闭立式闪速炉抽至真空状态;以上部进料的方式向所述真空状态的真空密闭立式闪速炉中加入待提纯碲粉,以下部进气的方式将氧气通入所述真空状态的真空密闭立式闪速炉,所述氧气与待提纯碲粉在密闭立式闪速炉中形成对流发生气固反应,生成二氧化碲粉末和二氧化硒;所述二氧化碲粉末在重力的作用下,落入生成物收集仓;所述二氧化硒升华进入挥发物收集仓;所述气固反应的温度为320~420℃;所述真空状态的压强为2~10Pa。本发明制备二氧化碲粉末流程短、硒去除率高、效率高、粉尘污染小、成本低、制备的二氧化碲粉纯度大于99.99%。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011444039.4 | 专利名称: | 一种快速除去杂质硒制备高纯二氧化碲粉末的方法 |
申请日: | 2020-12-08 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区一二一大街文昌路68号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B19/04搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2021-03-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112479163A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |