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摘 要:本发明涉及半导体材料技术领域,提供了一种碲化镉的制备方法,将碲和镉混合进行熔炼,得到碲化镉粗品;所述熔炼的保温温度为450~500℃;所述熔炼的压力为0.4~0.6MPa;然后进行真空净化,得到碲化镉。本发明通过采用加压熔炼的方式,降低了碲镉的合成反应温度,且原料利用率同样较高。实施例结果显示,熔炼温度在470℃情况下,即使通过真空提纯后(纯度为99.999%),产物的收率仍然高达98.5%以上(间接表明粗产物的收率更高)。上述实验结果表明,本发明在降低碲化镉合成温度的情况下,同样具有较高的产率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011088154.2 | 专利名称: | 一种碲化镉的制备方法 |
申请日: | 2020-10-13 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市一二一大街文昌路68号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B19/04搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2022-07-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112194105B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |