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摘 要:本发明涉及冶金技术领域,提供了一种真空蒸馏制备高纯铅的方法,利用原料铅中各个杂质在真空状态下熔沸点的差异,通过控制真空蒸馏的温度、升温时间和保温时间,在冷凝盘上收集到高纯铅,低熔点杂质冷凝在坩埚盖上,高熔点杂质富集于坩埚底部,实现铅与杂质的分离。本发明提供的方法,有效解决了目前真空蒸馏存在的随着铅纯度的提高,收率低的矛盾。实施例实验结果表明,利用本发明提供的方法,得到的铅纯度可达5N,且经过一次升温且一次真空蒸馏,收率最高可达80%以上。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010640347.8 | 专利名称: | 一种真空蒸馏制备高纯铅的方法 |
申请日: | 2020-07-06 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市一二一大街文昌路68号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C22B9/02搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2020-09-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111663048A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |