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摘 要:本发明公开了一种在B位进行高熵化设计的高介电常数陶瓷及其制备方法,属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明所述高熵陶瓷材料的化学式为Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3,制备过程为按照设计的化学计量比分别称量PbO、TiO2、ZrO2、SnO2、HfO2,之后进行湿法球磨、干燥、研磨、煅烧,对所得煅烧粉末进行二次球磨、干燥、研磨、压制成型,最后在空气中1200~1300℃温度下烧结得到致密的Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷。Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷在1kHz频率测试下,在270℃左右的温度下介电常数高达18500;Pb(Zr0.25Ti0.25Sn0.25Hf0.25)O3高熵陶瓷有望成为高介电常数的陶瓷电容器材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202211187371.6 | 专利名称: | 一种在B位进行高熵化设计的高介电常数陶瓷及其制备方法 |
申请日: | 2022-09-28 | 申请/专利权人 | 昆明理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市五华区学府路253号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/48搜分类 陶瓷搜索 |
公开/公告日: | 2023-03-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115417670B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |