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本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器的制备方法，光电探测器包括自下而上设置的基底、第二吸收有源区、光传输波导区和第一吸收有源区；第一吸收有源区中横向依次设置第一P++掺杂区、第一P+掺杂区、第一本征I区、第一N+掺杂区以及第一N++掺杂区，第一P++掺杂区与第一金属电极电性连接；第二吸收有源区中横向依次设置第二P++掺杂区、第二P+掺杂区、第二本征I区、第二N+掺杂区以及第二N++掺杂区，第二P++掺杂区与第二金属电极电性连接；第一与第二N++掺杂区通过金属通孔电性连接。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度高，光‑电响应带宽大。