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本发明公开了一种多信号唤醒芯片插接电路,包括第三电阻、第四电阻、第三MOS管、第一连接器、第二连接器,所述第三电阻一端和第一连接器连接,第三电阻另一端和第四电阻一端、第三MOS管漏极、第二连接器连接,第四电阻另一端、第三MOS管源极和接地端连接,本发明能够在芯片初始插接时防止瞬间电流,同时能够基于芯片插接状态及芯片的供电信号幅值对芯片的供电及唤醒信号进行选择性的限制以防止芯片在插接过程中出现损毁及运算逻辑混乱。
📄 2024114313344 📂 H03K17_082 👤 苏州符兹达电子科技有限公司 📅 2024-10-14
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发明 授权未下证

一种多信号唤醒芯片插接电路

2024114313344 · 苏州符兹达电子科技有限公司
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
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交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年