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本发明涉及一种具有短路保护的MOSFET直流固态继电器电路。本发明电路包括光隔式直流MOSFET开关电路、基于MOSFET的直流短路与过载测控电路。具体包括光耦IC1、比较器IC2、驱动三极管VT1、恒流三极管VT2、MOSFET管VT3、晶闸管VT4、稳压管DW1、左二极管D1、右二极管D2、电感L1、稳压电容C1、保护电容C2、驱动电阻R1、恒流电阻R2等。本发明以MOSFET管、逆阻型晶闸管、小电感、电流传感器、电压比较器等为主的电路方案，其中以一只MOSFET为功率控制器件同时兼做电流传感器，能完全地满足对直流固态继电器电路中的短路或过流故障进行可靠的实时保护要求。该电路简单、成本低、可靠性高、通用性好，易于产品化。

本实用新型公开了电力电子领域内的一种IGBT驱动保护电路，包括IGBT，IGBT的栅极与放大电路相连，IGBT的漏极与短路信号检测电路相连，IGBT的源级连接有分压电路，IGBT的源极与栅极之间连接有稳压电路，放大电路与光耦6N137相连，光耦6N137与电源VCC相连；光耦6N137实现输入输出信号的电气隔离，能够使得驱动电路与控制电路在点位上要个隔离，适合高频应用场合，短路信号检测电路能够在发生集电极电流过大时，减小IGBT的驱动电压，在IGBT损坏前将其关断，从而保护了IGBT，本实用新型可以用于IGBT驱动保护。

本实用新型公开了一种大功率MOS管并联驱动熔断保护电路，包括限流模块和若干个驱动模块，所述驱动模块包括MOS管和均流电阻，所述MOS管和所述均流电阻串联连接，若干个所述驱动模块并联在负载的负极或正极，所述限流模块包括一个或多个限流电阻，在所述限流模块包括一个限流电阻时，若干个所述MOS管的栅极直接并联后与所述限流电阻串联连接，所述均流电阻与所述MOS管的漏极串联连接；在所述限流模块包括多个限流电阻时，所述限流电阻与所述MOS管一一对应，所述MOS管的栅极通过所述限流电阻相互并联连接。本实用新型的大功率MOS管并联驱动熔断保护电路，可以有效避免个别大功率MOS管击穿引发的连锁反应，从而避免功率管过热烧毁引发火灾的风险。

本发明公开了一种多信号唤醒芯片插接电路，包括第三电阻、第四电阻、第三MOS管、第一连接器、第二连接器，所述第三电阻一端和第一连接器连接，第三电阻另一端和第四电阻一端、第三MOS管漏极、第二连接器连接，第四电阻另一端、第三MOS管源极和接地端连接，本发明能够在芯片初始插接时防止瞬间电流，同时能够基于芯片插接状态及芯片的供电信号幅值对芯片的供电及唤醒信号进行选择性的限制以防止芯片在插接过程中出现损毁及运算逻辑混乱。

本发明涉及一种具有短路保护的IGBT高压直流固态继电器电路。本发明电路包括光隔式高压直流IGBT开关电路、直流短路与过载测控电路。具体包括光耦IC1、比较器IC2、电流传感器SC1、驱动三极管VT1、恒流三极管VT2、IGBT管VT3、晶闸管VT4、稳压管DW1、左二极管D1、右二极管D2、电感L1、稳压电容C1、保护电容C2、驱动电阻R1、恒流电阻R2等。本发明以IBGT管、逆阻型晶闸管、小电感、电流传感器、电压比较器等为主的电路方案，能完全地满足对高压直流固态继电器电路中的短路或过流故障进行可靠的实时保护要求。该电路简单、成本低、可靠性高、通用性好，易于产品化。

本发明涉及一种具有短路保护的三相交流固态继电器电路。本发明电路包括光隔式三相交流TRIAC驱动电路、三相短路与过载测控电路。具体包括A相、B相和C相光耦，逆阻型晶闸管，A相、B相和C相双向晶闸管，A相、B相和C相电感L3，A相、B相和C相电流传感器SC1，二极管D1～二极管D6。本发明以三只光耦、三只双向晶闸管、一只逆阻型晶闸管、三只小电感、三只电流传感器等为主的简单电路方案，能完全地满足对三相交流固态继电器电路中的三相交流负载短路或过流故障进行可靠的实时保护要求。该电路简单、成本低、可靠性高、通用性好，易于产品化。