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本发明公开了一种温度补偿型欠压保护电路及其使用方法，电路结构包括：电阻R1、电阻R2、接地电阻R3、NMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3和缓冲器B1；方法为：构建输出端UVLO临界状态方程组，设置PMOS管M2和NMOS管M3的宽长比；本发明提供的一种温度补偿型欠压保护电路具有温度特性好、与CMOS工艺兼容和占用芯片面积小的特点。

本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种欠压保护电路，包括电流镜模块、电流比较模块、参考电流产生模块、电阻模块和外接用电设备的缓冲器；电流镜模块包括第一MOS管和第二MOS管，电流比较模块包括第二MOS管和第三MOS管，参考电流产生模块包括第四MOS管，第二MOS管的漏极和第三MOS管的漏极与缓冲器的输入端连接，缓冲器采集第二MOS管和第三MOS管的漏极电压，若缓冲器的输出为高电平，则关断用电设备；若缓冲器的输出为低电平，则开启用电设备；并且，第三MOS管与第四MOS管的尺寸比例，根据第三MOS管与第四MOS管的阈值电压一阶温度系数计算获得。本发明提供的欠压保护电路具有温度稳定性好、结构简单、占用芯片面积小、兼容CMOS工艺、应用电压范围宽的特点。