本实用新型提供了一种基于Ho:SSO可饱和吸收体的被动调Q激光器,包括半导体激光器、耦合透镜组、Tm:YLF晶体、第一凹面全反镜、第一凹面全反镜、Ho:SSO可饱和吸收体、输出镜;所述半导体激光器的输出端与耦合透镜组相对,所述耦合透镜组与Tm:YLF晶体相对,所述Tm:YLF晶体与第一凹面全反镜的凹面相对,所述第一凹面全反镜与第二凹面全反镜的凹面相对,所述第二凹面全反镜与Ho:SSO可饱和吸收体的输入端相对,所述Ho:SSO可饱和吸收体的输出端与输出镜的输入端相对。本实用新型能够稳定的、低阈值全纵深调制的产生亚微秒脉冲激光。
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📂 H01S3_113
👤 南京信息工程大学
📅 2020-11-19