太赫兹电控谐振切换式超表面相移装置,涉及超材料以及电磁功能器件领域。本发明包括自下而上逐层设置的金属底板、介质基板和相移结构层,所述相移结构层包括以M×N正交阵列方式设置的相移单元,每个相移单元包括一个矩形开口谐振环,谐振环的开口位于其所在边的中点位置,在谐振环的开口处,谐振环的的两个端点各自与一个长方形金属条连接,连接点位于长方形金属条的长边的中心,长方形金属条长边垂直于开口所在的谐振环的边;在开口处的两个长方形金属条之间,介质基板的上表面设置有欧姆贴片。本发明相移范围扩大至330度,进一步提高器件的集成度以及阵列的控制精度。
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📂 H01Q3_36
👤 电子科技大学
📅 2019-06-27