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本发明公开了一种测量倾角和旋转角的光刻对准标记及对准方法。该光刻对准标记包括硅片标记和掩膜标记，两个标记外部轮廓尺寸相同，均由五个边长相同的正方形呈十字型排列构成，通过重合外部轮廓可以完成硅片和掩膜两个平面的粗对准，硅片标记和掩膜标记内部设计有独特的图形结构和光栅结构，通过观察粗对准后的掩膜标记和硅片标记内部图形及光栅产生的莫尔条纹实现了硅片和掩膜两个平面倾角和旋转角的定量检测。本发明为了解决现有技术中小偏移量捕捉方法复杂、掩膜‑硅片两平面之间存在倾角和旋转角等问题，设计了独特的光刻对准标记，优化了对应的光刻对准方法，具有对准过程简易，对准效果好，对准精度高的优点。