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本发明涉及一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法,所述方法具体包括如下步骤:S1:在基板上涂覆第一层光刻胶,在所述光刻胶上覆盖一层金属箔片,在所述金属箔片上涂覆第二层光刻胶;S2:对第一、二层光刻胶进行前烘处理,借助掩膜板对第二层光刻胶进行曝光和显影;对第二层光刻胶进行后烘处理;S3:对所述金属箔片进行蚀刻,然后对第一层光刻胶进行曝光和显影,再对第一层光刻胶进行后烘处理即得精密芯片模具光刻掩膜。本发明提供的制备方法制备得到的光刻掩膜的最低线宽不低于20um,光刻胶厚度可以达到200um~300um,所得光刻掩膜能满足精密芯片加工制作的要求。
📄 2016102831140 📂 G03F1_80 👤 岭南师范学院 📅 2016-05-03
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发明 已授权

一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法

2016102831140 · 岭南师范学院
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
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SiC功率器件工艺专利

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钙钛矿光伏组件技术

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