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本发明涉及纳米图形化领域，具体涉及一种具有微纳图形结构的掩膜板制作方法和纳米光刻工艺，在硅片衬底上，利用图形化工艺定义需要进行刻蚀的图形；对硅片表面进行各向异性刻蚀，通过控制刻蚀过程，在硅片上制备特定形状和特定尺寸的微纳图形排列结构；将聚合物溶液涂在具有特定形状的微纳图形排列结构的硅片表面上，将硅片表面的微纳图形结构转印在聚合物上；取出转印后的聚合物，具有微纳图形结构的聚合物作为光刻掩膜板，用于光刻制备微纳图形。本发明同时具备成本低、简单、高效、可灵活调控图形的特征尺寸和几何形状的优点，该工艺可通过调整聚合物掩膜版的图形尺寸，实现全反射式的光刻曝光技术。

📄 2018102020205 📂 G03F1_52 👤 中山大学 📅 2018-03-12

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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺

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专利交易市场

一种具有微纳图形结构的掩膜板制作方法和纳米光刻方法