专利交易市场

一种无孔高结晶硼酸镁纳米晶须的绿色水热合成方法，属于无机化工工艺技术领域。该方法以无机镁盐、硼酸盐及无机碱的室温共沉淀的浆料为前驱物，通过对其抽滤，预先剥离对水热设备具有腐蚀性的氯离子，之后再补入硼酸盐，以pH调节剂调节溶液pH值，然后添加晶型诱导剂，在100-220℃下对产物水热处理，通过控制晶型诱导剂的含量与工艺条件实现产物的定向生长，得到形貌均一、高度结晶、高长径比的一维碱式硼酸镁纳米晶须，将水热产物洗涤、干燥，通过向水热产物中引入此前预剥离的含氯离子滤液（引入量为预剥离溶液量的25-100%），在表面活性剂存在的条件下于650-750℃焙烧，实现结构重整和物相转化，得到长径比高、分散均匀、尺寸均一、无明显孪晶现象的硼酸镁纳米晶须。本发明工艺简单、条件温和、原料价廉易得、绿色合成、对设备无腐蚀，易于工业推广。利用本发明制备的硼酸镁晶须主含量大于98%，且形貌规则、粒径均一、无孔、附加值高，可望作为金属基、塑料基、陶瓷基和高分子基复合材料的增强增韧材料。

本发明涉及一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的Ga2O3籽晶层，位于Ga2O3籽晶层背离衬底层方向的有序的Ga2O3相结纳米柱阵列，所述Ga2O3纳米柱阵列由α‑Ga2O3和β‑Ga2O3构成相异质结构成。本发明通过在衬底上覆盖一层氧化镓籽晶层，利用水热法在籽晶层上生长GaOOH纳米柱阵列，并进行400℃脱水形成α‑Ga2O3纳米柱阵列，通过高温快速退火处理的方式在α‑Ga2O3纳米柱的周围形成一层β‑Ga2O3，获得α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列。本发明的制备方法操作简单、成本低、重复性好，纳米柱阵列分布均匀、直径和长度可控；通过构建α/β‑Ga2O3相结，在界面处形成第二类型的能带排列，能使载流子(电子空穴对)快速、有效的分离，同时纳米柱阵列具有高比表面积的优势，可应用于深紫外光电器件。

本发明公开了一种钙钛矿单晶薄片及促进其生长的方法和应用，该方法利用聚四氟乙烯作为钙钛矿单晶薄片的结晶器皿，相对于现有的玻璃器皿，聚四氟乙烯对于钙钛矿前驱体溶液而言为疏水性器皿。对于钙钛矿薄膜的结晶过程，表面张力控制逆温度结晶来生长钙钛矿单晶薄膜，由于物质的化学势与其压强成正相关的关系，高的压强将导致较高的化学势能，因此疏水性容器中，溶液表面的化学势低于溶液内部的化学势。钙钛矿前驱液的表面张力越大，对于钙钛矿晶体而言，晶粒成长过程中，则晶粒生长越快，给予向上的力越大，晶片更容易向上生长，而且晶片的横向生长效果也越好。

本发明公开了一种单斜相BiVO4/GO/RGO晶体及其制备方法，以Bi(NO3)3·5H2O为Bi源，向其中依次加入油酸、正庚烷、丙酮，在低温下搅拌6‑10h，合成纤维状Bi2O3模板。将制好的Bi2O3模板和NH4VO3分别溶于乙醇和水溶液中，溶解后混合，再加入分散好的GO悬浊液，形成前驱液，将前驱液在180℃水热反应制得BiVO4/GO/RGO晶体。其中BiVO4为单斜相，空间结构群为I2/a(15)，随着水热时间的延长，晶体发育越完整，具有越良好的结构稳定性。在水热反应过程中GO被部分还原，并且随着时间的延长，GO被还原的程度越大。该方法操作简单，工艺稳定，是一种成熟可行的制备方法。

本发明提供了一种四棱台薄片状Bi2O3纳米单晶及其制备方法，将铋盐溶液和钒盐溶液按1:1的摩尔比混合，然后加入NaOH溶液，在室温下搅拌反应释放出氨气，得到前驱液，再加水定容前驱液，最后使前驱液进行水热反应，反应完后将反应产物洗涤、干燥，即得到四棱台薄片状Bi2O3纳米单晶。本发明通过控制NaOH溶液的加入量达到了控制产物形貌的目的，制得了沿(111)晶面取向生长的纯立方相的四棱台薄片状Bi2O3纳米单晶，具有良好的离子电导、空穴传导以及光氧化反应的潜力，该方法具有反应时间短、流程少、操作工艺简单、反应条件温和、成本较低、环境友好等优点。