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本发明公开了一种RE4TCd磁制冷材料，所述RE为稀土元素Dy、Ho、Tm中的一种或两种之间的混合，T为过渡金属元素Ni、Cu中的一种或两种之间的混合。本发明还公开了一种RE4TCd磁制冷材料的制备方法，包括将稀土金属与过渡金属混合熔化成RE4T合金锭，RE4T合金锭破碎与Cd粉混合，在密封模具中高压低温下烧结，再经热处理得到RE4TCd材料。本发明所述的一种RE4TCd磁制冷材料及其制备方法制备的RE4TCd磁制冷材料，在0～5的磁场变化下，磁熵变值为16.4～25.8J/kg K，具有较大的磁熵变，拓宽低温磁制冷材料的应用。

本发明公开了一种低熔点的镓基共晶液态合金及其制备方法。该镓基共晶液态合金，以原子分数计，包括以下组分：(100‑m)％(Ga74.2In13.9Sn7.1Zn4.8)+m％X；其中，X选自①Cd；②Cd和Mg；中的任意一种；m＝1～10；该镓基共晶液态合金的熔点为6.3～6.9℃。本发明在母体合金的基础上结合共晶相图选取添加元素并确认元素的含量以降低镓基液态合金的熔点，在经典三元共晶合金Ga77.2In14.4Sn8.4(at％)的基础上，结合共晶相图理论，得到四元合金Ga74.2In13.9Sn7.1Zn4.8(at％)，并进一步得到五元共晶合金和六元共晶合金。

本发明基于DSC测试结果开发出熔点温度低于6℃的液态金属及其方法，本发明提供的熔点温度低于6℃的液态金属成分均以原子百分数计，包括铟13～14％，锡7.5～8％，锌2.5～3％，铝0.8～1％，硅0.12～0.13％，镁0.5～0.6％，镉0.5～0.6％，余量的镓。本发明以组成GaInSnZnAlCuMgCd体系，熔点温度5.92℃。类似的还有GaInSnZnAlGeMgCd体系，熔点温度5.97℃。本发明通过微添加的方式对组分和比例进行微调整来降低液态金属的熔点温度，组分清晰，实验简单，只需简单真空熔炼使之均匀熔化即可，是一种可保证液态金属良好性能的高效降低熔点方式。

本发明公开了一种低熔点液态金属及从五元到八元连续降低液态金属熔点的方法，从五元一直发展到八元，包括GaInSnZnCd体系，熔点温度6.74℃；GaInSnZnMg体系，熔点温度6.71℃；GaInSnZnAl熔点温度6.68℃。六元体系GaInSnZnAlMg熔点温度6.29℃，七元体系GaInSnZnAlMgCd熔点温度6.08℃，八元体系GaInSnZnAlMgPbCd熔点温度6℃。本发明通过微添加的方式对组分和比例进行调整来降低液态金属的熔点温度，组分清晰，实验简单只需简单真空熔炼使之均匀熔化即可，是一种可保证液态金属良好性能的降熔点方式。

本发明公开了一种低熔点的镓基液态金属及其制备方法。低熔点的镓基液态金属，以原子分数计，镓基液态金属包括以下组分：(100‑m)％(Ga74.2In14.4Sn8.4Zn3)+m％X；其中，X选自Mg；Cd；Yb；Mg和Al；中的任意一种；m＝1～10；熔点为5.9～7℃。本发明以三元共晶合金Ga77.2In14.4Sn8.4为母体，采用Ga96.13Zn3.87二元深共晶原子对迭代优化，设计得到四元合金成分(Ga96.13Zn3.87)77.2In14.4Sn8.4，并通过四种添加元素的策略，降低Ga基‑液态金属的熔点。本发明为进一步拓展和丰富Ga基‑液态金属的设计思路提供重要的参考依据。

本发明公开了一种泡沫铝复合的液态金属热界面材料，由液态金属热界面材料和泡沫铝制成，所述液态金属热界面材料由如下重量百分数的组分组成：Zn：2.0‑6.0%,Sb:1.0‑3.0%,Sn:8.0‑16.0%,Zr:0.3‑0.8%,Gd:0.1‑0.2%,Ru:0.02‑0.04%,余量为In。由于铝的热导率在237 W／m.K左右。通过调整铝的密实度，可以有效的将液态金属热界面材料的导热率提高到90‑110W／m.K。为极端环境下大规模而有效地散热提供处于散热金字塔顶端的散热方案。

本发明公开了一种磁致冷稀土-铁-铝材料、制备方法及其应用。按化学式R14Fe3+xAl3-x的原子百分比分别称取各原料，混合均匀，其中，R为稀土元素Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或Yb中的任意一种，-0.2≤x≤0.2；经熔炼、冷却，得到铸态合金；真空退火处理后快速冷却，得到一种磁致冷稀土-铁-铝材料，它为Lu14Co3In3型四方晶体结构，空间群为P42/nmc。本发明提供的稀土-铁-铝材料在20K～80K的温度区间呈现较大磁熵变，具有较大磁致冷能力，良好的热、磁可逆性质，且价格低廉，是十分理想的中温区磁致冷材料。