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本发明涉及一种缺陷CoS‑Co3S4异质结微米片的制备方法，具体的说是CoCl2·6H2O、KSCN为前驱体，水热合成缺陷CoS‑Co3S4异质结微米片，该缺陷CoS‑Co3S4异质结微米片可高效电催化水氧化。

本发明公开了一种BiOCl@Bi异质结的制备方法，先采用溶剂热法制备出BiOCl纳米薄片，然后采用酸性磷酸钠作为原位还原及重构剂，酸性磷酸钠通过原位还原将BiOCl纳米薄片还原为Bi纳米材料并在该反应条件下经过重构生成大片状的B材料，通过控制酸性磷酸钠与Bi原材料的比例，可以实现小的BiOCl纳米薄片嵌入在大片状Bi上的异质结复合材料。本发明中酸性磷酸钠不仅可以作为还原剂将BiOCl中的Bi3+原位还原为Bi，还可以作为重构剂重构Bi的结构形貌，得到长片状Bi。BiOCl@Bi异质结的组成可以通过改变酸性磷酸钠溶液的相对浓度实现。

本发明公开了一种氮化碳/氧化石墨烯/(040)晶面钒酸铋异质结及其制备方法和应用，先通过水热法合成(040)晶面BiVO4粉体，并通过煅烧法获得g‑C3N4粉体，再通过水热法将(040)晶面BiVO4粉体与氧化石墨烯(GO)复合，最后通过超声法进行g‑C3N4粉体和GO/(040)晶面BiVO4粉体的复合，合成了g‑C3N4/GO/(040)晶面BiVO4异质结。复合后g‑C3N4、GO与(040)晶面BiVO4三相共存，且三相共同生长，并保持各自的生长趋势，g‑C3N4、GO和(040)晶面BiVO4之间形成了异质结且相互间能级匹配，有利于光生电子和空穴的分离，使(040)晶面BiVO4光响应范围变大，光生载流子的分离率提高，从而提高(040)晶面BiVO4的光催化性能。