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全部 发明 实用新型 外观设计
法律状态： 全部 已授权 审中
项目申报： 全部 报过 没有报过
共 3 件在售专利
一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用
发明 已授权
本发明公开了一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用，涉及气体传感器技术领域，该材料是氧化铈（CeO2）和过渡金属氧化物（MOx，M为Fe、Ni、Mn、Co、Ti、Cu、Zn中的其中一种）原位组装形成的Ce‑M‑O双金属氧化物，两组分通过掺杂和形成异质结的方式均匀紧密地复合在一起，组分间具有强相互作用。所得材料对乙酸乙酯气体表现出三十万的超强气敏响应值（Ra/Rg）和低于5秒的超快恢复时间，检测限低至10 ppb，且原材料成本低廉，在气体传感领域展现出广阔的应用前景。
📄 202410488715X 📂 G01N27_12 👤 电子科技大学长三角研究院(湖州) 📅 2024-04-23
¥0.0 元
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一种互补金属氧化物半导体摄像机及其补光方法
发明 已授权
本发明公开了一种CMOS摄像机及其补光方法：获取帧间隔时间以及每行像素的曝光时间；根据获取到的信息确定出频闪周期；按照所述频闪周期以及预先设定的占空比，利用补光灯为每帧图像进行补光，所述占空比大于0且小于1。应用本发明所述方案，能够提高补光效率和延长补光灯的使用寿命等。
📄 2014101057882 📂 H04N5_235 👤 杭州海康威视数字技术股份有限公司 📅 2014-03-20
¥0.0 元
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一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
发明 已授权
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。其中源电极设置在衬底上，金属氧化物沟道层设置在源电极上，漏电极设置在金属氧化物沟道层上，栅电极和栅介质层是通过原位氧化形成的，且栅电极包埋在栅介质层中，栅介质层包埋在金属氧化物沟道层中；所述的一种金属氧化物薄膜晶体管具有不少于2个栅介质层，且栅介质层与栅介质层之间相互隔开，形成载流子由下至上的多导电沟道。本发明提供的金属氧化物薄膜晶体管一方面可突破传统工艺对尺寸的限制，同时由于多沟道的并联作用，可实现低工作电压下的高输出电流。
📄 2017108584993 📂 H01L29_786 👤 浙江知多多网络科技有限公司 📅 2017-09-21
¥0.0 元
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发明 已授权

一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用

202410488715X · 电子科技大学长三角研究院(湖州)
¥0.0 元
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发明 已授权

一种互补金属氧化物半导体摄像机及其补光方法

2014101057882 · 杭州海康威视数字技术股份有限公司
¥0.0 元
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发明 已授权

一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

2017108584993 · 浙江知多多网络科技有限公司
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固态锂电池电解质专利包

转让方：中国科学院××研究所
受让方：××新能源科技有限公司
交易类型：独占许可
交易金额：¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方：××大学
受让方：××生物医药有限公司
交易类型：转让
交易金额：¥1,200万
⚡

SiC功率器件工艺专利

转让方：××半导体有限公司
受让方：××汽车电子集团
交易类型：转让
交易金额：¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
受让方：××能源集团
交易类型：开放许可
交易金额：¥50万/年
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