深紫外发光二极管 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

实用新型已授权

本实用新型为一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构。该结构主体为沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、N‑型半导体传输层、电子注入层、多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层和P‑型重掺杂半导体传输层。其中，电子注入层通过AIN组分和掺杂浓度来精确调控N‑型AlGaN层内极化电场和耗尽电场，从而降低电子注入有源区时的能量，提高量子阱对电子的捕获能力，使器件性能得到大幅提升，且材料生长难度低，可重复性强。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

📄 2020230140632 📂 H01L33_32 👤 天津赛米卡尔科技有限公司 📅 2020-12-15

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实用新型已授权

一种具有电子注入层的深紫外发光二极管外延结构

2020230140632 · 天津赛米卡尔科技有限公司

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