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一种氮化碳电极材料的制备方法，包括以下步骤；步骤(一)：前驱体膜的制备：将干净的导电基底A垂直快速浸入热的饱和CN前驱体水溶液中，然后立即取出，待表面干燥后，在导电基底A上便形成均匀的前驱体薄膜层，前驱体薄膜层的厚度通过重复上述步骤多次浸渍‑干燥循环进行调节，形成多层，将所得前驱体膜放在60℃烘箱中干燥或自然风干备用；步骤(二)：CN电极的制备：将步骤(一)中得到的干燥前驱体膜放入玻璃管中，通氮气赶走管中空气并用锡箔纸包扎管口，接着将该玻璃管放入氮气炉中高温煅烧，待自然冷却后便得到均匀的CN薄膜电极。本发明提出的方法简单易行、使用设备便宜简便、适用于工业化发展，有利于推广。

本发明公开了氨基酚醛树脂基吡咯氮掺杂碳电极材料的制备方法，具体步骤包括：A、3‑氨基苯酚‑3‑卤代苯酚‑甲醛树脂的制备；B、3‑氨基苯酚‑3‑卤代苯酚‑甲醛树脂的低温碳化；C、碳化后3‑氨基苯酚‑3‑卤代苯酚‑甲醛树脂的低温活化，本发明通过低温热处理实现了单一吡咯氮构型在碳材料中的掺杂，提高了氮掺杂活性位点在赝电容反应中的利用效率，同时降低了制备氮掺杂碳材料时的能源消耗，作为超级电容器电极材料应用时，氨基酚醛树脂基吡咯氮掺杂碳电极材料表现出高容量，典型的赝电容特征，良好的倍率性能和高循环稳定性特征。

本发明公开了一种构型可控氮氧氟共掺杂碳电极材料及其制备方法，属于碳材料技术领域，制备方法如下：(1)2‑氨基4‑氟苯酚‑甲醛共聚树脂的水热合成，(2)上述共聚树脂的碳化，(3)上述共聚树脂碳化产物的活化，本发明得到了吡咯氮、氢醌羟基/醌羰基和半离子碳氟键共掺杂碳材料，低温部分脱氟碳化有利于相邻苯环形成共轭结构，部分保留半离子碳氟键诱导电荷重新分布，使得该氮氧氟共掺杂碳电极材料表现出良好的导电性，作为超级电容器电极材料使用时表现出高倍率性能；同时，低温碳化和低温活化处理保留了更多的吡咯氮和氢醌羟基/醌羰基作为赝电容活性位点，作为超级电容器电极材料使用时表现出赝电容特性和高比容量。

本发明公开了一种氮氧共掺杂碳电极材料及其制备方法，属于电化学超级电容器技术领域，通过室温下混合氨基羟基吡啶、3‑卤代苯酚和六亚甲基四胺、水热法聚合得到富含氮氧元素的卤代树脂微球、低温脱卤碳化和低温KOH活化制成。本发明中的低温脱卤碳化有利于提升芳香环共轭程度；低温KOH活化则引入大量具有赝电容活性的氢醌羟基/醌羰基，含氮官能团转化为具有赝电容活性的吡咯氮，有效提高了具有赝电容活性杂原子掺杂量；同时，低温KOH活化促进了sp3杂化碳原子向sp2杂化碳原子的转化，提高了共轭程度和导电性，改善其电化学倍率性能。作为超级电容器电极材料时，氮氧共掺杂碳材料表现出高容量、良好的倍率性能和稳定性。