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本发明一种高线性度宽带无源混频器，包括：RF阻抗匹配网络、IF阻抗匹配网络、LO预驱动器、堆叠式LO驱动器、开关核心；射频信号从P3、P4端口进来，进入RF阻抗匹配网络经X、Y端口的传递，传递到A、B端口进入开关核心，最后传递到E、F端口进入IF阻抗匹配网络；本振信号从P1、P2端口进入，进入LO预驱动器经H、Z端口的传递，经过双路堆叠式LO驱动器进入开关核心，并经E、F端口到IF阻抗匹配网络，最后经P5、P6端口输出IF信号。本发明实现了工作频率范围在7GHz至20GHz，RF阻抗匹配网络采用混合耦合结构，IF阻抗匹配网络采用低通四阶LC结构，配合LO预驱动器、堆叠式LO驱动器级联实现了IF信号的超高线性度、低功耗、超宽带性能。

本实用新型属于混频器的技术领域，具体涉及一种高线性低功耗型混频器，这种高线性低功耗型混频器包括：依次电性连接的H型架构混频器核、本振信号单端转差分电路和整形驱动电路；所述H型架构混频器核包括变压器T1、变压器T2、变压器T3和场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、场效应晶体管Q4；其中，所述变压器T1由上到下依次包含第一二级线圈、中心二级筛选线圈和第二二级线圈，所述第一二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3，所述第二二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3。这种高线性低功耗型混频器具有降低能耗，减少使用成本的效果。

本实用新型涉及无线信号中继技术领域，尤其涉及一种混频器、手机信号放大器。所述混频器包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管；第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感和第六电感；第一电容、第二电容、第三电容和第四电容；第一电阻和第二电阻。本实用新型提供的混频器可以抵消非线性器件的非线性影响因素，增加混频器的线性度，进而提高手机信号放大器的信号放大质量。