微纳米制造类专利转让_商标转让

类型
法律状态
检索范围
名称/领域

专利名称：一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法申请号：2020116196972 转让价格：面议收藏
法律状态：授权未缴费类型：发明关键词：微纳米制造化学刻蚀半导体制造芯片制造相似专利发布日：2025/01/16
摘要：本发明公开了一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法，通过设置超声波换能器探头与电磁铁，电磁铁的磁力作用能够增强刻蚀的速率，提高刻蚀孔的垂直性，超声波和磁场耦合作用高深宽比刻蚀硅基，减少表面损伤，降低机械应力，能够有效保证刻蚀的精度以及侧壁的质量，形成合理的高深宽比的硅微通道，保证使用效果，有利于上述基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构在微纳米制造技术领域的推广及应用。

第1页/共1页;本页1条记录/共1条记录

第页

用户指南

交易方式

专项服务

关于柿子坊

关注微信公众号

联系我们

咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com

专利转让_商标转让_知识产权转让评估买卖_智来柿子坊专利交易平台