半导体集成电路制造类专利转让_商标转让

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专利名称：低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法申请号：2021110125639 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：半导体集成电路制造晶体管设计制造高集成低功耗CCMOS集成电路半导体相似专利发布日：2025/01/15
摘要：本发明公开了低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法，通过对半导体薄膜两侧同时形成正负掺杂，当可重构电极对重构电荷存储层编程写入正电荷时，半导体两侧形成电子堆积区，使低导通电阻可重构计算芯片用晶体管工作在导带电子导通模式，当可重构电极对重构电荷存储层编程写入负电荷时，半导体两侧形成空穴堆积区，使低导通电阻可重构计算芯片用晶体管工作在价带空穴导通模式，实现对低导通电阻可重构计算芯片用晶体管导电类型的可编程操作。本发明同时公开了一种兼容于CMOS集成电路工艺技术的低导通电阻可重构计算芯片用晶体管的制造方法。

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