专利名称：BaZrS3薄膜及其制备方法及其应用      申请号：2019103091626     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：钙钛矿电池 太阳能 光伏   相似专利 发布日：2025/03/19  
摘要： 本发明属于材料技术领域，提供了一种BaZrS3薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤S1、以BaZrO3作为反应材料，对其进行硫化处理制成靶材；步骤S2、利用步骤S1获得的靶材进行镀膜处理；步骤S3、对步骤S2获得的产物进行二次硫化处理。本发明首次提出了制备BaZrS3薄膜的制备方法，以BaZrO3作为反应材料，通过硫化处理，镀膜处理以及二次硫化处理，获得的BaZrS3无机不含铅硫属钙钛矿材料。该材料具有优良的可见光吸收能力，在太阳能电池领域具有较大的应用前景。

专利名称：一种铜锡硫与ZnS合金量子点及用其制备的钙钛矿电池      申请号：2020111080630     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电池 钙 Zn 钙钛矿电池   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明涉及一种(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的制备方法，其将CuCl、SnCl2和ZnCl2均匀分散于十二烷基硫醇和油胺的混合溶剂中，氮气氛围下，加热至160‑180℃，然后加入过量二硫化碳的二正丁胺溶液，反应2‑5min，冷却至60℃以下，离心即得。本发明将Cu2SnS3与ZnS结合形成(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点，并将其作为空穴传输层材料应用于钙钛矿太阳能电池，能显著提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性，极具推广应用价值。

专利名称：一种钬镱镁掺杂二氧化钛的量子点的制备方法及其在钙钛矿电池中的应用      申请号：2018105260713     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电池 钙 镁 港口 钙钛矿电池   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明涉及一种钬镱镁掺杂二氧化钛的量子点的制备方法，包括以下步骤：1）二氧化钛前驱体的制备；2）量子点的制备：将Ho(NO3)3·5H2O、Yb(NO3)3·5H2O和Mg(NO3)2·6H2O加入二氧化钛前驱体溶液中，得到混合溶液C，将混合溶液C干燥、退火，得到钬镱镁掺杂二氧化钛的量子点；钬镱镁掺杂二氧化钛的量子点可以作为电子传输材料应用于制备钙钛矿电池中，制备得到的钙钛矿电池能将近红外光转换成可见光，并且转换效率较高。

专利名称：含氯氧化镍纳米颗粒作为空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法      申请号：2018110524406     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电池 钙 纳米颗粒 钙钛矿电池   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了含氯氧化镍纳米颗粒作为空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法；所述钙钛矿电池以含氯氧化镍纳米颗粒作为空穴传输层，制备方法中以氯化铵提供氯源，使得制备出的空穴传输层的含氯氧化镍纳米颗粒尺寸控制在10nm以下；通过该方法使得氯离子吸附在氧化镍表面，氧化镍与氯原子成为一体，当钙钛矿电池使用时，氯离子一方面可以减少氧化镍薄膜的缺陷态，提高其对空穴的提取速率；另一方面氧化镍表面的氯离子可以钝化空穴传输层与钙钛矿层的界面，使电子空穴的复合显著减少，从而实现电荷的高效传输，提高电池电流密度。

专利名称：基于梯度退火与反溶剂的全无机钙钛矿电池及其制备方法      申请号：2018109039575     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电池 退火 钙 港口 钙钛矿电池   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了一种基于梯度退火与反溶剂协同效应制备无机钙钛矿电池的方法及制备的无机钙钛矿电池，是一种能够在低温下完成、制备简易、成本较低以及效率较高的钙钛矿太阳能电池，其中，钙钛矿层选择利用梯度退火以及反溶剂处理的溶液旋涂方式形成，能够得到更平整、更均匀、效率更高、更加稳定的薄膜。相较于常用的一步退火以及有毒反溶剂的方法，梯度退火的方法能形成更加致密的薄膜以及更纯的相态；绿色反溶剂的使用摒弃了传统的有毒反溶剂，有效减少了环境污染。并且，在微观结构上，反溶剂处理的薄膜晶粒达到微米级别，晶界极少，整个薄膜的缺陷态也因此得到了抑制，这也为钙钛矿薄膜的热稳定性和湿度稳定性提供了保障。

专利名称：一种n型掺杂电子传输层和TiO2层的钙钛矿电池的制备方法      申请号：2017112477373     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电池 钙 港口 电子 钙钛矿电池   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明提供了一种n型掺杂电子传输层和TiO2层的钙钛矿电池的制备方法，包括以下步骤：（1）FTO透明导电玻璃基片清洗和TiO2薄膜制备，沉积上TiO2，放入烘箱中备用；（2）Bis‑PCBM和DMC复合膜制备；（3）旋涂于已沉积上TiO2的FTO上；（4）钙钛矿薄膜的制备；（5）Spiro‑OMeTAD薄膜制备，旋涂于步骤（4）中FTO上；（6）采用蒸镀方法在Spiro‑OMeTAD薄膜上蒸镀MoO3和Ag电极。本发明的方法可提高薄膜电子迁移率和电导率，促进器件光电转换效率的提高，薄膜表面更加光滑，可作为后续钙钛矿层沉积和生长的良好衬底，可以减缓钙钛矿层的降解过程，提高器件的稳定性。