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本发明公开了一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）在称料之前，将镧系氧化物La2O3、Sm2O3、Nd2O3、Gd2O3在1000℃烧结12小时，将CaCO3置于180℃烘箱中干燥12小时，去除原料中的水和CO2。按设计的化学计量比进行称量。将称量好的原料放入研钵中，加入酒精充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末。由于MoO3容易挥发，需要在称量时过量10%来弥补烧结过程中造成的原料损失。（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，放入坩埚中，在500℃下预烧12小时，再将样品研磨、压片，最后在950℃烧结保温12小时，获得目标产物。本发明制备的高熵氧离子导体材料制备过程简单，稳定性良好，导电性能良好。

本发明公开了一种氧化铋基中低熵氧离子导体材料及其制备方法。具体材料为(Bi2O3)0.95‑x(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)x(WO3)0.05,x=0.1、0.2、0.3、0.4，制备方法是按照化学式的计量比组成称量配料，使用研钵反复研磨得到混合物；将混合物压片，放入高温烧结马弗炉中，在650°C下烧8小时。再研磨后，在850~1080°C下烧制10小时，得到致密的陶瓷片。本发明制备的氧离子导体材料成本低廉、制备工艺简单，热稳定性和化学稳定性好，电导率高，其中(Bi2O3)0.75(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)0.2(WO3)0.05在550℃时，陶瓷总电导率达1.1×10‑2 S/cm，700℃时所有比例陶瓷电导率均大于>10‑2 S/cm，能作为电解质材料应用于中低温氧化物燃料电池，具有广泛的应用前景。