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本发明公开了一种高频低损耗非晶软磁复合膜材料及其制备方法，这种软磁复合材料是复合膜形式，涉及磁电子材料技术领域。首先将一定粒度的非晶软磁粉体进行前预处理，然后进行绝缘包覆。将其与适量的树脂和助剂配置成浆料，然后流延成非晶复合膜并干燥。所制备的磁性复合膜可以多层叠压成一个整体、也可以单独使用。本发明通过流延方法制备成的非晶复合膜，在1MHz～200MHz具有大于10且稳定的磁导率，具有低于0.08的损耗角，可应用于高频电磁屏蔽、电感器件、吸波等领域。

本实用新型涉及一种多层复合膜共挤透明背板结构，耐UV透明PET基材上和/或下端面涂覆有透明氟涂层，耐UV透明PET基材上端朝外依次设置透明氟膜、PO膜，耐UV透明PET基材下端朝外依次透明丙烯酸系薄膜，PO膜、透明氟膜、涂覆有透明氟涂层的耐UV透明PET基材、透明丙烯酸系薄膜依次叠加共挤成型。采用多层膜共挤成型透明背板结构，PO膜有效控制水汽透过率，耐UV透明PET基材有效提高耐UV性能，透明氟膜与耐UV透明PET基材上的透明氟涂层结合紧密，同属氟膜、氟涂层小分子共挤结合紧密，有效避免胶接的分层问题，具有透明、耐湿热、耐UV性能。

一种花状水滑石复合碱性聚电解质膜的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将含Mg2+、Al3+、尿素和乙二醇的混合溶液进行水热反应得花状水滑石；(2)利用硅烷偶联剂对花状水滑石进行表面处理，得到硅烷偶联剂接枝的花状水滑石；(3)将硅烷偶联剂接枝的花状水滑石的分散液与季铵化壳聚糖溶液和聚乙烯醇溶液在交联剂的存在下混合得到铸膜液；(4)铸膜液经溶液浇铸得花状水滑石复合碱性聚电解质膜。本发明利用硅烷偶联剂接枝的花状水滑石作填充材料，并以交联剂与季铵化壳聚糖和聚乙烯醇反应形成互穿网络结构为膜基体，提高了复合膜的拉升强度和碱性稳定性；通过添加硅烷偶联剂接枝的花状水滑石，形成了新的离子传输通道，提升了膜的离子电导率。