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专利名称：一种二次曲线忆感器等效模拟电路申请号：201811619049X 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：电子二次电路模拟电路相似专利发布日：2024/01/22
摘要：本发明公开了一种二次曲线忆感器等效模拟电路，属于电路设计技术领域，本发明设计了一种能够实现忆感器伏安特性的模拟等效电路，其利用模拟电路实现忆感器伏安特性，具体实现了一种二次曲线忆感器伏安特性，利用集成运算电路实现忆感器特性中的相应运算，该模拟电路含7个运算放大器和1个乘法器，集成运算放大器主要用以实现电压跟随、反相积分和反相比例运算，乘法器用以实现两个输入信号的乘积；结构简单，在目前及将来无法获得纳米级单个孤立忆感器器件的情况下，可代替实际忆感器实现与忆感器相关的电路设计、实验及应用，对忆感器的特性和应用研究具有重要的意义。

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