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本发明公开了一种基于噪声抵消结构的低噪声放大器,主要解决了现有技术中存在的低噪声放大器的噪声系数较高,不能较高的满足系统要求的问题。该基于噪声抵消结构的低噪声放大器,包括场效应管M1,连接于场效应管M1源极的变压器耦合正反馈电路U1,连接于场效应管M1漏极的变压器耦合正反馈电路U2,栅极连接于场效应管M1的源极和变压器耦合正反馈电路U1之间的场效应管M3,源极与场效应管M3的源极相连、栅极连接于场效应管M1的漏极和变压器耦合正反馈电路U2之间的场效应管M2,栅极连接于场效应管M3和场效应管M2的源极之间的场效应管M4。通过上述方案,本发明达到了有效降低噪声系数,且性价比较高的目的,具有很高的实用价值和推广价值。
📄 2013107474663 📂 H03F1_26 👤 电子科技大学 📅 2013-12-31
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发明 已授权

基于噪声抵消结构的低噪声放大器

2013107474663 · 电子科技大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万
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SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年