专利名称：一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法      申请号：2019100632127     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：报警器 硫化 硫化锌   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明涉及一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域。所述忆阻器为MIM形式结构，其结构从下至上依次为：底电极、二硫化钼/硫化锌双层薄膜功能层、顶电极。本发明的这种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器具有MoS2/ZnS界面，其在施加偏压下，硫空位能够容易地从MoS2漂移到ZnS中，形成硫空位导电通道，使器件进入低阻态；当施加相反偏压时，硫空位重新漂移回到MoS2，导电通道断裂，使器件回到高阻态，同时，本发明采用的惰性电极阻止了硫空位进入顶电极，大幅度改善了忆阻器的重复性。

专利名称：一种锰合金化银铟硫/铜掺杂硫化锌量子点材料及其制备方法与应用      申请号：2022103585505     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：锰 材料及其制备方法 硫化 硫化锌   相似专利 发布日：2024/03/11  
摘要： 本发明公开了一种锰合金化银铟硫/铜掺杂硫化锌量子点材料及其制备方法与应用，制备方法包括以下步骤：(1)铜前驱体的制备；(2)2‑Mn‑AIS/ZnS核壳量子点的合成；(3)Mn‑AIS/ZnS@Cu核/壳量子点的合成。本发明通过在核和壳中的锰合金化和铜掺杂，协同裁剪了生态友好锰合金化银铟硫/铜掺杂硫化锌核/壳量子点的电子能带结构和电荷载流子提取。将该量子点材料应用于光电化学领域，可以显著提高QDs‑PEC器件的性能和稳定性。

专利名称：硒化镉铟/硫化锌/铁-钴氧化物光催化剂及其制备方法与应用      申请号：2022106097077     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：化工、助剂 化学化工 硫化 硫化锌   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明提供一种硒化镉铟/硫化锌/铁‑钴氧化物光催化剂及其制备方法，以及该光催化剂在光催化水制氢中的应用。所述硒化镉铟/硫化锌/铁‑钴氧化物的制备方法包括以下步骤：(1)制备钴掺杂的NH2‑MIL‑53(Fe)金属有机骨架，经过煅烧获得铁‑钴氧化物；(2)在铁‑钴氧化物外层包覆硫化锌壳层；(3)制备硒化镉铟纳米粒子并与硫化锌/铁‑钴氧化物复合得到所述硒化镉铟/硫化锌/铁‑钴氧化物。本发明制备得到的硒化镉铟/硫化锌/铁‑钴氧化物光催化剂，光催化制氢性能显著提高，5小时的光催化制氢量可以达到51.50mmol/g，并且该材料在光催化制氢过程中具有良好的稳定性。

专利名称：一种金属/非金属掺杂的硫化锌铜光催化剂及制备方法      申请号：2018110900298     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 硫化 硫化锌   相似专利 发布日：2024/09/18  
摘要： 本发明属于光催化剂的技术领域，提供了一种金属/非金属掺杂的硫化锌铜光催化剂及制备方法。该方法在较低的温度下制备了硫化锌铜光催化剂，并原位掺杂金属镧、铈，再进一步通过磁控溅射掺杂非金属氮，制得金属/非金属掺杂的硫化锌铜光催化剂。与传统方法相比，本发明采用金属镧、铈及非金属氮对硫化锌铜进行掺杂处理，制得的光催化剂禁带宽度较窄，可见光利用率较高，且光生电子与空穴不易复合，光催化效率高，可广泛用于光解水制氢及有机废水处理领域。