本发明提供了一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用,该MXene/NiO异质结的突触器件,包括:基片,所述基片中设置有底部电极,其中,所述基片的上顶面暴露有所述底部电极;覆盖所述基片部分区域的MXene/NiO异质结层,所述MXene/NiO异质结层包括MXene层和NiO层,所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域;位于所述MXene/NiO异质结层顶面的顶部电极。本发明中的突触器件对电脉冲具有极快且敏感的响应,具有超低能耗,可用于构建人工神经网络系统。
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📂 H10N70_20
👤 广东工业大学
📅 2022-09-05