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本发明公开了一种基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法，选择衬底，并在其上沉积导电薄膜作为底电极；在底电极上进行氧化物纳米颗粒掺杂二维卤化物钙钛矿成膜，作为阻变器件的存储层；在阻变存储层上沉积导电薄膜作为顶电极。本发明方法制备的基于掺杂二维卤化物钙钛矿薄膜忆阻器，结构简单，具有较高的稳定性，材料来源广泛，具有成本低，制备工艺简单的优点，有利用规模化应用，具有良好的市场应用前景。

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种稳定性忆容器件及其制备方法。所述忆容器件包括基底、功能层和顶电极，所述功能层包括两层，第一功能层为在衬底上旋涂的TiO2纳米片薄膜，第二层为进行冷冻干燥后阵列排布在第一功能层上的TiO2纳米片薄膜。第一功能层是旋涂在衬底上的TiO2纳米片薄膜，其作用是作为过渡层，有效增加了功能层与导电基底的接触面积，提高了能层在基底上的附着力，使功能层不易脱落；第二功能层上的TiO2纳米片薄膜通过冷冻干燥技术，改变二维TiO2纳米片的堆积状态，使TiO2纳米片阵列化，从而获得具有稳定性的忆容器件，该制备方法简单，成本低。

本发明公开了一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器，包括第一电源V1、第二电源V2、开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块、求差模块、放大模块、增大模块；第一电源V1或第二电源依次V2与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路；忆阻器模块包括忆阻器Mz1、Mz2、Mj1和Mj2，Mj1和Mj2完全相同，Mz1与Mj1串联，Mz2与Mj2串联，Mz1和Mj1组成的串联支路与Mz2和Mj2形成的串联支路相并联；求差模块与忆阻器模块相连，放大模块与求差模块相连，增大模块与放大模块相连。本发明的曝光量测量范围大，灵敏度高，适用于大曝光量及长时间曝光的测量，而且电路简单，避免了测量过程中忆阻器阻值变化对传感器的回路电流和曝光量测量的影响，测量误差小，使用方便。