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本发明涉及一种V‑Sm包覆单晶型镍钴锰酸锂正极材料的方法，属于电池正极材料合成技术领域，包括如下步骤：S1、将单晶型镍钴锰酸锂正极材料加入乙醇溶液中，并剧烈搅拌，得到悬浮液一；S2、取钒溶液和钐溶液并依次滴加至由步骤S1制得的悬浮液一中，经过30‑40min的剧烈搅拌，得到悬浮液二；S3、离心分离由步骤S2制得的悬浮液二，收集固态产物，并用乙醇溶液洗涤，真空干燥，在O2气氛下煅烧，得到V‑Sm包覆的单晶型镍钴锰酸锂正极材料。本发明制得的V‑Sm包覆的单晶型镍钴锰酸锂正极材料极大的改善了正极材料的电化学性能和结构的稳定性，进一步延长了使用寿命。

一种纳米层状镍钴锰酸锂的制备方法，包括以下步骤：第一步是低温共沉淀法制备纳米级NixCoyMn1-x-y(OH)2前驱体，具体是：将比例量的镍盐、钴盐、锰盐以及一定量的抗氧化剂溶于低温纯水中，混合均匀；将混合溶液注入超重力反应器中，之后先后滴加氨水溶液以及氢氧化钠溶液，进行低温共沉淀反应，反应结束后，取出溶液并在避免与氧气接触下陈化一段时间，然后依次进行过滤、洗涤和干燥处理，得到纳米级别的前驱体；第二步是固相法制备纳米级LiNixCoyMn1-x-yO2。本发明工艺简单，成本低，低温下可真正达到共沉淀，加入抗氧化剂后避免了氢氧化锰被氧化，产物晶型好，批量生产稳定。