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本发明涉及一种接触与非接触状态下纳米半导体界面热导调控方法，包括以下步骤：⑴建立由热区域A和冷区域B组成的分子动力学热输运模型；⑵执行分子动力学模拟与数据处理：在接触状态和非接触状态下比较不同扭转角度下的界面热导，以确定界面热导对扭转角度的依赖关系；在接触状态下，比较不同扭转角度下接触界面处声子态密度的重叠面积，确定声子态密度的重叠面积对不同界面扭转角度热输运的影响；在非接触状态下，比较不同扭转角度下的界面相互作用势和LJ势的力常数，确定力常数对不同界面扭转角度状态热输运的影响。本发明通过调控扭转角度、法向载荷和势阱深度，实现了对ITC的有效调控，为纳米器件的热管理提供了重要基础。