二维材料异质结 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

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本发明公开一种基于二硫化铼/二硒化钨(ReS2/WSe2)异质结的光电器件及制备方法，属于材料应用技术领域。本发明包括：P型硅衬底、二氧化硅绝缘层、单层ReS2和WSe2构成的异质结、漏极和源极；所述的源极、漏极、单层ReS2和WSe2均位于二氧化硅/硅(SiO2/Si)衬底上，其中Si为栅极。本发明还公开了一种简易地制备上述光电器件的方法。该光电探测器件实现了宽的势垒区和抑制了ReS2中的缺陷态对探测器的影响，提高了探测器的响应时间。

📄 2019104942404 📂 H01L31_0336 👤 杭州电子科技大学 📅 2019-06-09

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基于二硫化铼/二硒化钨异质结的光电器件及制备方法

2019104942404 · 杭州电子科技大学

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