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本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法，包括：在第一导电类型的衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；形成第二导电类型的外延层，包括形成于所述衬底上表面的第一部分，以及分别形成于所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成的第二部分；在所述衬底和所述外延层交界处形成覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽上表面，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述衬底上表面的第一介质层；在所述衬底内形成覆盖所述第一沟槽下表面的第二介质层以及覆盖所述第二沟槽下表面的第三介质层，所述第二介质层和所述第三介质层分别沿着相互背离的方向延伸至所述外延层边缘；在所述外延层上表面形成第一电极；在所述衬底下表面形成第二电极，从而降低了器件制造成本。

本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；生长于所述衬底上表面的第一导电类型的第一外延层；自所述第一外延层的上表面向下延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的埋层；生长于所述第一外延层及所述埋层的上表面的第二导电类型的第二外延层；自所述第二外延层的上表面向下延伸至所述第二外延层内的第一导电类型的第一掺杂区；第二导电类型的第二掺杂区和第二导电类型的第三掺杂区；位于所述第二外延层的上表面的介质层；与所述第二外延层电连接的第一电极；以及与所述衬底下表面电连接的第二电极。所述瞬态电压抑制器具有低电容、集成度高、制造工艺简单的特点。