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本发明公开了一种Nd2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Nd(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液,并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3,混合均匀后获得电沉积溶液,置于水浴中,使其温度达到所需温度;在电沉积溶液中插入三电极体系,通过电沉积反应在导电玻璃上沉积一层薄膜,将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗,然后置于鼓风干燥箱中干燥,再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理,制得Nd2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单,相比于先做粉后成膜的传统方法,极大地简化了薄膜制备方法,同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响;并且本发明提供的方法操作简单,耗时短,薄膜质量好。
📄 2017106076440 📂 C25D9_06 👤 桂林理工大学 📅 2017-07-24
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发明 已授权

一种Nd2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

2017106076440 · 桂林理工大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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转让方:中国科学院××研究所
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
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交易类型:转让
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SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
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