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  • 专利名称:一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法      申请号:2014102303530     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:塑料 纳米材料 电阻 存储器件 纳米薄膜 电阻存储器   相似专利 发布日:2022/08/23  
    摘要: 本发明公开了一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及制备方法。该方法以石英玻璃基片作为衬底,采用脉冲激光沉积法制备铁掺杂的非晶碳膜,再采用真空热蒸发法在该碳膜上蒸镀两个铝层作为电极,并连接电压触发器,制备成本器件。本器件在室温下,存在高低两种电阻态,电阻开关现象极为明显,可通过简单的脉冲电压进行写入,通过检测电阻态实现读取。具有读写速度快、可重复性强,结构简单、稳定、耐振动,工艺简洁、环保无污染,原材料价格低廉,易回收重复利用等优越性。
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