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本发明公开了一种镂空方条形单相Bi2Fe4O9多铁材料的制备方法，以Bi(NO3)3·5H2O为铋源，以Fe(NO3)3·9H2O为铁源，以去离子水为溶剂，加入适量的NaOH获得前驱体溶液，在180‑220℃保温6‑24h，水热反应得到镂空方条形单相Bi2Fe4O9多铁材料，合成工艺简单、反应过程温和、成本低廉、无需有机溶剂的辅助作用，绿色环保。本发明制备的镂空方条形单相Bi2Fe4O9多铁材料具有大面积的暴露面和特殊的镂空结构，比表面积大，气体接触面积大，其长方形侧面的(110)暴露晶面利于气体分子在材料表面被吸收氧化，具有作为气敏半导体材料应用于气体传感器领域的潜力。

本发明公开了一种微米级规则方条形Bi2Fe4O9多铁材料的制备方法，以Bi(NO3)3·5H2O为铋源，以Fe(NO3)3·9H2O为铁源，以去离子水为溶剂，通过调节Bi3+与Fe3+的摩尔比和矿化剂NaOH的浓度，控制水热时长，湿化学方法合成形貌规则、纯度高、均匀性好、结晶度高的微米级规则方条形Bi2Fe4O9多铁材料。该制备方法步骤简单、设备要求低，无需有机溶剂和表面活性剂等的辅助作用，绿色环保，该微米级规则方条形Bi2Fe4O9多铁材料的正方形截面边长为1.5～2.5μm，轴向长度为10～14μm，且具有一定的可见光吸收能力和室温铁磁性，在电子陶瓷领域中具有很广泛的应用前景。

本发明提供了一种HoSrMnNi共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法，以硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和乙酸镍为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97‑xMn0.03NixO3多铁薄膜，即HoSrMnNi共掺铁酸铋多铁薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，实验条件易于实现，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，制得的HoSrMnNi共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好，改善了BiFeO3薄膜的多铁性能。

本发明提供了一种Bi0.96Sr0.04Fe0.98?xMnxCo0.02O3多铁薄膜及其制备方法。以硝酸盐和醋酸锰等为原料，乙二醇甲醚和醋酸酐为溶剂。在基片上采用旋涂法和逐层退火的工艺制备了Bi0.96Sr0.04Fe0.98?xMnxCo0.02O3多铁薄膜。本发明采用溶胶－凝胶工艺，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，制备的薄膜均匀性较好，且化学组分精确可控。通过离子掺杂，有效地提高了薄膜的铁电和铁磁性能。该薄膜在最大测试电场为700kV/cm的电场下，剩余极化强度为102～170μC/cm2，矫顽场为290～463kV/cm；室温下，该薄膜的饱和磁化值为2.85～3.8emu/cm3，剩余磁化值为0.38～0.5emu/cm3。

本发明提供了一种GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法，以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.97‑xGdxSr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3多铁薄膜，即GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，实验条件易于实现，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能，制得的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好，并具有随外加电压变化的铁电稳定性。

本发明提供了一种HoSrMnNi共掺三方铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，用晶体结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同元素掺杂的铁酸铋薄膜制备出Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.94Mn0.03Ni0.03O3/Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.93Mn0.03Ni0.04O3超晶格薄膜，即HoSrMnNi共掺三方铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。