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本发明公开一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，是采用0.13μm CMOS工艺制备而得的蘑菇型结构，该器件结构自下至上依次包括Si(100)基片制备的衬底、Al材料底电极、SiO2中间介质层、在中间介质层上形成的W加热电极、Ti‑Zn‑Sb存储介质层、TiN粘附层和Al材料顶电极。Tix(ZnySb100‑y)1‑x相变材料作为神经突触仿生器件中的存储介质，可以在5~500 ns电信号脉冲宽度作用下实现多态阻值之间的转换，其中间态电阻值能够提供约8 bit的分辨率，开关电阻差异约为2个数量级。在相同脉冲操作下可以实现电阻对脉冲个数的线性响应，符合突触仿生器件的电学性质要求。