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本发明提供了一种负载型单层水滑石结构研究方法，利用Material Studio，构建出不同负载构型的单层水滑石结构，利用Castep程序包对不同负载的单层水滑石结构性能进行表征，根据表征数据筛选得到负载型单层水滑石的合理结构；本发明利用密度泛函理论模拟方法，成功构建单层水滑石的单原子催化剂模型、合金团簇负载模型以及氧化物负载模型，通过量子化学软件Castep可以快速预测不同负载结构单层水滑石的稳定性，缩短实验合成周期，且可以分析不同负载金属对单层水滑石催化活性的影响，为实验中制备高效催化剂提供有效的理论基础。

本发明公开了一种Co(II)&Zn(II)&Cu(II)掺杂水滑石及其制备方法和应用，所述Co(II)&Zn(II)&Cu(II)掺杂水滑石的制备方法为：将水滑石与Co(II)盐、Zn(II)盐和Cu(II)盐混合后，置于球磨罐中于室温下进行球磨，球磨后的颗粒状粉末产物置于N2气氛下高温处理，冷却，产物用0.5~10.0 mol/L盐酸水溶液搅拌洗涤1.0~10.0 h，抽滤，水洗至pH值为3.0~8.0，真空干燥得Co(II)&Zn(II)&Cu(II)掺杂水滑石。本发明的Co(II)&Zn(II)&Cu(II)掺杂水滑石制备简单，成本低，易于工业化应用。制备的Co(II)&Zn(II)&Cu(II)掺杂水滑石在催化氧化环烷烃反应中具有良好的应用效果，应用方法具有环烷基醇和环烷基酮选择性高，反应温度低，副产物少，环境影响小等优势，以及具有环烷基过氧化物含量低、安全系数高等优点。

本发明提供一种有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石及其制备方法和应用，该方法采用乙二胺四甲叉膦酸螯合铜离子后插层镁铝水滑石制备有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石。本发明采用共沉淀与阴离子交换法使乙二胺四甲叉膦酸螯合铜离子后插层镁铝水滑石，一方面，可拓宽有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石适用的pH范围，提高其催化稳定性，另一方面层间距大大增大，从而使其具有较高的有机物降解效率，其在可见光下催化降解罗丹明B的降解效率达到98.2％。

本发明公开了一种含镍、钴或铝的超薄花状水滑石材料的制备方法，以预设浓度的三乙醇胺溶液作为沉淀剂，双氧水作为形貌调控剂，将无机金属盐溶解后滴加于上述溶液中，在预设温度下搅拌晶化，之后通过离心洗涤、干燥获得一种超薄装花状多元水滑石材料。本发明主要采用三乙醇胺作为沉淀剂，不仅使水滑石生长过程中反应体系的pH恒定可控，同时对水滑石超薄花状结构的形成具有一定的促进作用。此外，H2O2对水滑石中不同金属离子的比例和微观形貌都有一定的调节作用。本发明采用金属盐单滴法，不仅简化了操作步骤、避免了沉淀剂挥发对实验环境的污染及实验人员的直接性危害，整个制备过程原料易得、工艺简单安全、成本低，具有很强的普适性。

本发明公开了一种水滑石基磁光薄膜材料的制备方法，该工艺利用金属离子吸附法沉积，在真空条件下得到水滑石基磁光薄膜前体，然后利用惰性气体洗涤、紫外固化等工艺得到成品薄膜材料。制备而成的水滑石基磁光薄膜材料，其制作工艺简单、薄膜材料质地均匀致密、电性能优越，具有较好的应用前景。