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本发明属于适配体传感检测技术领域，涉及一种基于光致电子转移的比率荧光适配体传感器的制备方法及检测ZEN的应用；本发明具体是将N,S‑CQDs和适配体修饰的CdTe QDs‑apt产生的荧光信号分别作为参比信号和响应信号，通过利用WS2NTs和CdTe QDs‑apt之间的光致电子转移、Exo I对CdTe QDs‑apt的剪切作用以及适配体特异性结合ZEN的特性，得到基于光致电子转移的比率荧光适配体传感器，实现实际样品中ZEN的高灵敏、高精准、高选择性检测；本发明构建的传感器对ZEN的线性响应范围为0.1‑100pg/mL，检测限为0.1pg/mL，成功实现了ZEN的高性能分析。

本发明属于电化学发光检测领域，涉及一种用于特异性检测恩诺沙星的电化学发光适配体传感器以及制备方法和应用，是由恩诺沙星适配体负载于NaYF4‑PEI‑PTCA纳米复合材料修饰的玻碳电极表面而成，NaYF4‑PEI‑PTCA纳米复合材料为上转化纳米粒子和苝四羧酸之间以酰胺键结合的产物；恩诺沙星适配体核苷酸序列为apt:5'‑CCC ATC AGG GGG CTA GGC TAA CAC GGT TCG GCT CTC TGA GCC CGG GTT ATT TCA GGG GGA‑3'。本发明传感器可实现对恩诺沙星的灵敏检测，最低检测限为3.0×10‑15mol/L。

本发明提供了一种用于检测合成卡西酮MDPV的电化学发光适配体传感器及其制备方法和应用，属于电化学发光检测领域。电化学发光适配体传感器由适配体SF负载于复合材料In‑MOF@Sn‑TCPP修饰的玻碳电极的表面而成；复合材料In‑MOF@Sn‑TCPP为Sn‑TCPP（5,10,15,20‑四(4‑羧基苯基)锡卟啉包覆的In‑MOF。检测方法为以SF/In‑MOF@Sn‑TCPP/GCE修饰电极作为工作电极，Ag/AgCl电极作为参比电极，铂电极作为辅助电极，组成传统的三电极体系。本发明中修饰电极的制备方法简单，对MDPV检测的灵敏度高，选择性好，线性范围宽。