专利名称：一种(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法      申请号：201610890214X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 光电 导电薄膜 光电器件 光伏 太阳能 电力 磁电耦合 无铅环保 压电 信息存储 传感器 微机电系统   相似专利 发布日：2025/01/23  
摘要： 本发明提供了一种(012)晶面择优取向的Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法。以硝酸盐和醋酸锰等为原料，乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂制备前驱液，再在FTO基板上采用旋涂和逐层退火工艺制备Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3薄膜。制得的薄膜沿(012)晶面择优取向生长，其漏电流密度相比纯BFO薄膜减小了2～3个数量级，显著降低了BFO薄膜的漏电流密度，改善了BFO薄膜的铁电性能。本发明采用溶胶‑凝胶法制备薄膜，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，制备的薄膜均匀性较好，且化学组分精确可控。通过离子掺杂，有效地提高了薄膜的铁电和铁磁性能。

专利名称：一种Bi0.96Sr0.04Fe0.98-xMnxCo0.02O3多铁薄膜及其制备方法      申请号：2016102021548     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 光电 导电薄膜 光电器件 光伏 太阳能 电力 磁电耦合   相似专利 发布日：2025/01/23  
摘要： 本发明提供了一种Bi0.96Sr0.04Fe0.98?xMnxCo0.02O3多铁薄膜及其制备方法。以硝酸盐和醋酸锰等为原料，乙二醇甲醚和醋酸酐为溶剂。在基片上采用旋涂法和逐层退火的工艺制备了Bi0.96Sr0.04Fe0.98?xMnxCo0.02O3多铁薄膜。本发明采用溶胶－凝胶工艺，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，制备的薄膜均匀性较好，且化学组分精确可控。通过离子掺杂，有效地提高了薄膜的铁电和铁磁性能。该薄膜在最大测试电场为700kV/cm的电场下，剩余极化强度为102～170μC/cm2，矫顽场为290～463kV/cm；室温下，该薄膜的饱和磁化值为2.85～3.8emu/cm3，剩余磁化值为0.38～0.5emu/cm3。

专利名称：一种尖晶石型Co1-xMnxFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法      申请号：2016101876233     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 光电 导电薄膜 光电器件 光伏 太阳能 电力 磁电耦合   相似专利 发布日：2025/01/23  
摘要： 本发明提供了一种尖晶石型Co1‑xMnxFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将硝酸钴、醋酸锰和硝酸铁按摩尔比为1‑x:x:2(x＝0.1～0.5)溶于乙二醇甲醚和醋酸酐中，搅拌得到Co1‑xMnxFe2O4前驱液，用旋涂法和逐层退火的工艺在基片上制备出致密度高晶粒尺寸均匀的沿(311)晶面择优取向生长的尖晶石型Co1‑xMnxFe2O4铁磁性薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，设备要求简单，实验条件容易达到，适宜大面积成膜，且化学组分精确可控，并且可通过Mn元素掺杂量对Co1‑xMnxFe2O4铁磁性薄膜的铁磁性能进行调控。

专利名称：一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法     申请号：2016101882963     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 光电 导电薄膜 光电器件 光伏 太阳能 电力 磁电耦合   相似专利 发布日：2025/01/23