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本发明公开了一种高击穿场强和储能密度二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料及制备方法，该陶瓷材料由CdCu3Ti4O12‑x wt％SiO2表示的材料组成，其中x的取值为1.0～4.0，其是以Cd(NO3)2·4H2O、Cu(NO3)2·3H2O、Ti(C4H9O)4为原料，冰醋酸为螯合剂，先采用溶胶‑凝胶法制备前驱粉体，并将前驱粉体在较低温度下煅烧，得到能在分子水平上混合且均匀性较好、活性高的CdCu3Ti4O12陶瓷粉体，然后向陶瓷粉体中加入二氧化硅粉，经球磨、造粒、压片、排胶、烧结制备而成。本发明陶瓷材料的制备方法简单、反应温度较低、重复性好、成品率高，且陶瓷材料的介电性能优良，其击穿场强可高达895～2352V/cm、储能密度0.712～1.77mJ/cm3，具有广泛的应用前景。

本发明公开了一种低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Ta3/4)xTi1-xO2，其中x表示摩尔分数，x的取值为0.005～0.01。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高，通过在Ta单掺的二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素Ag，使陶瓷材料在频率为40～106Hz范围内具有高介电常数(＞104)、低介电损耗(＜0.14)，尤其是显著降低了陶瓷材料的低频介电损耗，在40～103Hz频率范围内介电损耗始终保持在0.07以下，同时具有优异的频率及温度稳定性，保持在-15％～15％之间，符合陶瓷电容器的参数要求，具有巨大的应用价值。

一种高温度稳定性高介电常数低损耗的介电陶瓷材料、制备方法及应用。一种高温度稳定性高介电常数低损耗的介电陶瓷材料。制备方法为：将BaTiO3、Na0.5Bi0.5TiO3和Ba2NaNb5O15粉体按化学式(1‑x)(0.85BaTiO3‑0.15Bi0.5Na0.5TiO3)‑xBa2NaNb5O15配比取料，对粉体进行湿法球磨混合，干燥后的粉体在1000℃下预烧2h，再经过二次球磨、过筛和成型，最终在1250℃温度下烧结2h得到了所需介电陶性得瓷材到明料显。随的着提B高a2，N当axN=b05.O00157掺时入，样量品的在增‑加50，oC材到料1的50o温C度之稳间定的容温变化率在 15%之间，介电常数大于2200，介电损耗小于0.05。

本发明公开了一种铋基棒状结构巨介电陶瓷材料及制备方法，属于介电陶瓷材料及巨介电陶瓷介电电容器领域，该陶瓷材料的制备采用一定量的MgO和WO3制备出混合物A再将得到的混合物A分别与锆球石和酒精按1:1:1比例混合，依次进行球磨、烘干、预烧后形成化学有序的MgWO4粉体；将Bi2O3和该粉体混合依次进行球磨、烘干、造粒、过筛后压制成试样，在空气中800～1000℃保温2～4h随炉冷却至室温，最后对试样正反两面涂覆银浆即可，制备方法简单、成本低。本发明方法制得的无铅巨介电陶瓷材料呈棒状结构、致密性较好，且具有巨介电的特点，适合巨介电材料在高密度存储器件中的广泛应用。

本发明涉及一种铋掺杂钛钽酸铜巨介电陶瓷材料，其化学组成符合通式为：Bi2x/3Cu3‑xTa2Ti2O12，其中，x的取值范围为0

📄 201810471367X 📂 C04B35_495 👤 韶关学院 📅 2018-05-17

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